美國祭出史上最大對中國半導體的禁售令,從目前的發展來看,主要風暴會集中在記憶體產業,由於美國政府限制了18奈米(128層)製程技術設備出口到中國,因此合理預估,將徹底阻斷中國廠商發展先進製程的時程。
下圖表是全球主要記憶體廠商推進製程的時程,有一個非常明顯的趨勢,就是獲得中國官方補貼240億美金的長江存儲,技術進展的非常快速,按照原本規劃,2022年可以開始量產128層、2023年開始量產192層、2024開始量產200層以上的產品,換言之,若按照原本計劃,長江存儲雖然是後起之秀,但卻迎頭趕上了韓國與美國等大廠,技術落後的時間縮短至一年,三星、威騰、美光、海力士預計2023年才會開始推進到200層以上的技術。
中國大陸的記憶體廠商長江存儲,技術能力的大躍進,也讓今年全球市佔率較去年翻了一倍達到5%,緊追在美國廠商美光11%與威騰13%之後;此外,在中國境內生產的快閃記憶體總產量佔全球的比重,也從2019年時不到14%,跳升到今年的23%以上,反觀,在美國境內生產的總產量,同一時期卻下降到只剩下1.6%。
換言之,不管是從「追上技術」,還是從「產量狀況」的角度來看,美國政府決定出手打擊中國記憶體產業,都是合理的決定,一方面保護了美商未來的利益,另一方面也迫使全球主要的記憶體大廠,放棄未來在中國境內持續擴建產能的計畫。
相較於中國大陸廠商在記憶體產業上的急起直追,晶圓代工產業由於使用的是更高階的製程技術,因此中國大陸廠商的技術能力,遠遠看不到台、韓、美等大廠的車尾燈,技術落後的時間超過5年以上,而此次美國政府再祭出14/16奈米以下半導體設備的禁售令,更直接凍結了中國廠商想要追趕的企圖。
今年在晶圓代工產業有一個重大的新聞,就是中芯半導體用14奈米的設備,量產出相當於7奈米技術的產品,而此一訊息,相信也是美國總統拜登改變了2021年剛上任時,曾放寬14奈米以上設備給中國廠商的決策,改採全面禁售14/16奈米以下設備的決定,完全阻斷中國廠商想要發展更高階製程的計畫。
相較於台積電、三星、英特爾相繼在2022年開始量產3奈米、4奈米的產品,中國大陸廠商發展先進製程的腳步,可以說是完全被凍結在14奈米。
不過從「原本就落後技術長達5年」,以及「10奈米以下先進製程產量占比微乎其微」的角度來看,此次美國政府推出的禁售令,對晶圓代工產業的影響不大,除非未來擴及到28奈米等成熟製程的設備,否則不影響半導體設備廠商的業績展望。
道理很簡單,就是中國原本半導體發展的重心,就是放在28奈米的成熟製程,根據根據SEMI統計,2024年底以前,中國將新建31座晶圓廠,雖然表面上超過台灣同期預定新建19座,以及美國預定新建12座,但由於大多數都集中在成熟製程,因此在美國禁售令未涵蓋「成熟製程」下,半導體設備廠商的業績不會受到大大影響,畢竟「成熟製程」的訂單,中國大陸廠商仍按照計畫擴產中,「先進製程」的訂單,台美韓等大廠也都按照計畫擴產中。
值得留意的是,根據International Business Strategies預估,由於中國將大量開出產能,因此2025年中國在28奈米產能市占率將達40%,相較2021年15%翻兩倍,此外,28奈米需求會持續成長到2030年,產值將翻兩倍到281億美元。
本文From《投資家日報》2022年10/13
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