半導體晶片生產的過程，合計會經歷「矽晶圓表面處理」、「沉積」、「微影曝光」、「清洗」、「蝕刻」、「加入金屬層」、「沉積」、「測試」、「封裝」等9個階段。
此外，半導體晶片生產的過程，除了要經歷上述一連串的步驟之外，每個步驟的背後，都有相關設備商提供相關的設備：
(一)矽晶圓表面處理
主要的機器是研磨設備，美商應用材料市占率高達66%，日商Ebarag市占率約28%。
(二)微影曝光
主要的設備是曝光機，荷商ASML占率高達88%，日商Nikon市占率約28%。
(三)蝕刻
又分「乾式」蝕刻設備與「濕式」蝕刻設備，前者美商科林占率達51%，美商應用材料市占率30%，後者日商東京威力科創市占率約61%，美商科林占率達36%。
(四)加入金屬層
主要有「離子植入設備」與「濺鍍設備」，前者美商應用材料市占率達60%，美商axcelis technologies市占率18%，後者美商應用材料市占率達85%、日商優貝克市占率約6%。
(五)測試
主要的機器是磊晶設備，美商應用材料市占率達74%，荷商ASM先藝科技市占率20%。
(六)封裝
主要的機器是晶圓檢測設備，美商KLA科磊市占率65%、美商應用材料市占率達16%。
簡單來說，半導體晶片生產先從取得矽晶圓開始，然後透過薄膜沉澱、曝光、顯影、蝕刻、檢測、封裝、測試等階段，最後完成半導體晶片的生產。
本文From《投資家日報》2024年3/8
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